技术了。

　　早在一九五零年的时候，北美人拉塞尔奥尔和威廉姆肖克莱就已经发明了离子注入工艺，并且后者在一九五四年的时候，就已经申请了这项发明的专利。

　　所以离子注入也是最早采用的半导体掺杂方法，它跟另一种掺杂方法，成为芯片制造的基本工艺之二。

　　一九五六年的时候，还是北美人，叫富勒的研究员发明了扩散工艺。

　　离子注入用于形成较浅的半导体结，扩散用于形成较深的半导体结。

　　这两种掺杂工艺就像炒菜中添加调味料，它是对半导体材料的“添油加醋”。

　　少量的其它物质掺进很纯的半导体材料中，使其变得不纯，对于半导体材料来说，其它物质就是杂质，掺入的过程就称为掺杂。

　　掺杂是将一定数量的其它物质掺加到半导体材料中，人为改变半导体材料的电学性能的过程。

　　除了离子注入设备之外，还有就是光刻机。

　　但是在提光刻机之前，不得不说一下结型场效应晶体管和金属氧化物半导体场效应晶体管这两者的区别了。

　　原时空历史上，一九五九年的时候，贝尔实验室的韩裔科学家江大原和马丁艾塔拉发明了金属氧化物半导体场效应晶体管。

　　这是第一个真正的紧凑型，也是第一个可以小型化并实际生产的晶体管，因为它可以代替大部分结型场效应晶体管，对电子行业的发展有着深远的影响。

　　这个时空，陈国华比对方更早地发明了这样的晶体管，但也没有早多少天。

　　也因此，一九五九年这一年，陈国华研发晶体管计算机之后，这才开启了晶体管尺寸缩小工艺的发展之路。

　　众所周不知，电压控制的场效应晶体管是一种使用电场效应改变器件电性能的晶体管。

　　主要用于放大弱信号，主要是无线信号，放大模拟和数字信号。

　　同时它又分为结型场效应晶体管和金属氧化物半导体场效应晶体管，这两者也都主要用于集成电路，并且在工作原理上非常相似。

　　其中结型场效应晶体管是最简单的场效应晶体管，其中电流可以从源极流到漏极或从漏极流到源极。

　　而金属氧化物半导体场效应晶体管是一种四端半导体场效应晶体管，由可控硅氧化制成，所施加的电压决定了器件的电导率。

　　由于其高输入阻抗而在集成电路中起着至关重要的作用，它们主要用于功率放大器和开关，同时作为功能元件，金属氧化物半导体场效应晶体管在嵌入式系统设计中也是非常重要的。

　　二者的区别，就是结型场效应晶体管只能在耗尽模式下工作，反之金属氧化物半导体场效应晶体管可以在耗尽模式和增强模式下工作。

　　此外，结型场效应晶体管的高输入阻抗约为1010欧姆，这使其对输入电压信号敏感。

　　金属氧化

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