面的芯片，还是存储器里面的芯片，其实都是大同小异。

　　或者说，他们根本都没有进行细分这些问题。

　　振华研究所从一开始就已经是明确了这些，所以在存储器层面就已经进行了芯片优化设计。

　　关于这一点，IBM公司他们虽然也从华悦计算器和华欣收音机等，了解到其中的差异。

　　但由于技术壁垒，以及没有申请这样的技术专利，也没有引起他们的密切关注。

　　还有就是数字信号处理芯片，他们也同样缺少相对应的理论基础和技术，因此IBM公司的温克尔曼和首席技术专家麦克道尔，以及克雷公司的哈利法克斯和艾德贝特等人都还在头疼如何突破这些技术。

　　其次便是振华研究所开发出来的这些产品当中，技术工艺都是相对落后的，连闪存技术都没有使用，其存储器芯片内的字节也是少的可怜那种。

　　就比如之前六月份推出去当展示的兵乓游戏街机，只有一百二十八字节的随机存储内存和六千字节的随机存取存储器。

　　所以它的芯片设计工艺，跟IBM公司他们的芯片设计工艺，看起来就没有多大的差异。

　　毕竟内存字节，太少了，没有碾压性的优势。

　　当然了，几年前流行的磁芯板这样的存储器，已经是过时了，毕竟二者之间技术工艺不在同一个时代。

　　计算机是需要缩小尺寸，而不是延续以前的大房子似的计算机。

　　第二步是晶圆制造，这是最耗费时间的阶段。

　　晶圆是芯片的基本原材料，它是有单晶硅或其他半导体材料制成的圆形薄片。

　　而它的制造过程又涉及到了铸造、切割、表面抛光等几个子步骤。

　　这一步也是耗费的时间成本，也会增加芯片的成本。

　　毕竟北美等其他地区的人工成本很高，内地的人工成本，那可真是太有优势了。

　　第三步则是制造加工，这部分是芯片制造的核心部分。

　　制造加工主要用于完成集成电路中的基本元件，也就是晶体管的制造。

　　作为核心部分，整个过程就包括了清洗晶圆、氧化、导电金属沉积、光刻和刻蚀等步骤。

　　根据不同时代的技术工艺，会有不同的工艺区别，其中离子注入设备和光刻机这两大核心设备，就不得不提一下了。

　　众所周不知，离子注入设备是半导体制程中最为关键的工艺技术，是通过控制离子束的能量和剂量，可以改变材料的性质和结构。

　　更详细地解释，就是在硅晶圆中加入杂质元素，改变晶圆衬底材料的化学性质，包括载流子浓度和导电类型，但杂质注入会造成晶格损伤，这时需要退火工艺来修复硅晶格激活掺杂后的电晶体。

　　整个离子注入工艺的流程是离子源、离子加速器、离子质量分析器和扫描系统。

　　这些步骤，在国外，早已经不是什么稀罕

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